SSM6L61NU,LF

產品屬性

屬性值

製造商：

東芝

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

UDFN-6

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N溝道，P溝道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

4 A

Rds On - 漏源電阻：

108 mOhms, 157 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

400 mV, 500 mV

Vgs - 柵源電壓：

8 V, 12 V

Qg - 門電荷：

3.6 nC, 6.74 nC

最低工作溫度：

-

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

0.75 mm

長度：

2 mm

產品：

MOSFET

系列：

UMOSIX

晶體管類型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

類型：

矽 P-/N 溝道 MOS

寬度：

2 mm

品牌：

東芝

正向跨導 - 最小值：

12 S, 9.5 S

秋季時間：

-

產品類別：

MOSFET

上升時間：

-

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

45 ns, 54 ns

典型的開啟延遲時間：

25 ns, 21 ns

Tags

SSM6L6, SSM6L, SSM6, SSM