STGD3NB60SDT4

產品屬性

屬性值

製造商：

意法半導體

產品分類：

IGBT晶體管

RoHS：

Y

技術：

矽

包裝/案例：

TO-252-3

安裝方式：

貼片/貼片

配置：

單身的

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

600 V

集電極-發射極飽和電壓：

1.5 V

最大柵極發射極電壓：

20 V

25 C 時的連續集電極電流：

6 A

Pd - 功耗：

48 W

最低工作溫度：

- 65 C

最高工作溫度：

+ 150 C

系列：

STGD3NB60SD

資質：

AEC-Q101

打包：

捲軸

連續集電極電流 Ic 最大值：

6 A

高度：

2.4 mm

長度：

6.6 mm

寬度：

6.2 mm

品牌：

意法半導體

連續集電極電流：

3 A

柵極-發射極漏電流：

+/- 100 nA

產品類別：

IGBT晶體管

出廠包裝數量：

2500

子類別：

IGBT

單位重量：

0.139332 oz

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