NTR4170NT1G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-23-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

3.9 A

Rds On - 漏源電阻：

55 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

600 mV

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

4.76 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.25 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

0.94 mm

長度：

2.9 mm

產品：

MOSFET 小信號

系列：

NTR4170N

晶體管類型：

1 N-Channel

類型：

功率MOSFET

寬度：

1.3 mm

品牌：

安森美半導體

正向跨導 - 最小值：

8 S

秋季時間：

3.5 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

9.9 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

15.1 ns

典型的開啟延遲時間：

6.4 ns

單位重量：

0.050717 oz

Tags

NTR4170NT, NTR4170, NTR417, NTR41, NTR4, NTR