TK12E80W,S1X

產品屬性

屬性值

製造商：

東芝

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-220-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

800 V

Id - 連續漏極電流：

11.5 A

Rds On - 漏源電阻：

380 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

3 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

23 nC

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

165 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

商品名：

DTMOSIV

系列：

TK12E80W

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

東芝

秋季時間：

11 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

40 ns

出廠包裝數量：

50

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

130 ns

典型的開啟延遲時間：

70 ns

單位重量：

0.063493 oz

Tags

TK12E8, TK12E, TK12, TK1