RJP020N06T100

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-89-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

2 A

Rds On - 漏源電阻：

240 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

800 mV

Vgs - 柵源電壓：

4.5 V

Qg - 門電荷：

5 nC

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

1.5 mm

長度：

4.5 mm

系列：

RJP020N06

晶體管類型：

1 N-Channel MOSFET

類型：

MOSFET

寬度：

2.5 mm

品牌：

羅姆半導體

秋季時間：

20 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

18 ns

出廠包裝數量：

1000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

40 ns

典型的開啟延遲時間：

8 ns

第 # 部分別名：

RJP020N06

單位重量：

0.004603 oz

Tags

RJP020N0, RJP02, RJP0, RJP