TP2635N3-G

產品屬性

屬性值

製造商：

微芯片

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-92-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

350 V

Id - 連續漏極電流：

180 mA

Rds On - 漏源電阻：

15 Ohms

Vgs - 柵源電壓：

20 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

大部分

高度：

5.33 mm

長度：

5.21 mm

晶體管類型：

1 P-Channel

類型：

場效應管

寬度：

4.19 mm

品牌：

微芯科技

秋季時間：

40 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

15 ns

出廠包裝數量：

1000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

60 ns

典型的開啟延遲時間：

10 ns

單位重量：

0.016000 oz

Tags

TP2635N3-G, TP2635N, TP263, TP26, TP2