IPD082N10N3GBTMA1

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-252-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

100 V

Id - 連續漏極電流：

80 A

Rds On - 漏源電阻：

7 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

55 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

125 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

商品名：

優化MOS

打包：

捲軸

高度：

2.3 mm

長度：

6.5 mm

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

6.22 mm

品牌：

英飛凌科技

正向跨導 - 最小值：

45 S

秋季時間：

8 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

42 ns

出廠包裝數量：

2500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

31 ns

典型的開啟延遲時間：

18 ns

第 # 部分別名：

G IPD082N10N3 IPD082N10N3GXT SP000485986

單位重量：

0.139332 oz

Tags

IPD082N10N3G, IPD082, IPD08, IPD0, IPD