NTTS2P03R2G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

Micro-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

2.48 A

Rds On - 漏源電阻：

85 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

3.2 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

780 mW

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

0.95 mm

長度：

3 mm

產品：

MOSFET 小信號

晶體管類型：

1 P-Channel

寬度：

3 mm

品牌：

安森美半導體

正向跨導 - 最小值：

3.1 S

秋季時間：

40 ns, 20 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

40 ns, 20 ns

出廠包裝數量：

4000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

30 ns, 40 ns

典型的開啟延遲時間：

16 ns, 10 ns

Tags

NTTS2P03, NTTS2P, NTTS2, NTTS, NTT