TK35N65W,S1F

產品屬性

屬性值

製造商：

東芝

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-247-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

650 V

Id - 連續漏極電流：

35 A

Rds On - 漏源電阻：

68 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

3.5 V

Vgs - 柵源電壓：

30 V

Qg - 門電荷：

100 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

270 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

高度：

20.95 mm

長度：

15.94 mm

系列：

TK35N65W

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

5.02 mm

品牌：

東芝

產品類別：

MOSFET

出廠包裝數量：

30

子類別：

MOSFET

單位重量：

1.340411 oz

Tags

TK35N, TK35, TK3