NTZD3152PT1G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-563-6

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

430 mA

Rds On - 漏源電阻：

2 Ohms, 2 Ohms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

450 mV

Vgs - 柵源電壓：

1.8 V

Qg - 門電荷：

1.7 nC, 1.7 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

280 mW

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

0.55 mm

長度：

1.6 mm

產品：

MOSFET 小信號

系列：

NTZD3152P

晶體管類型：

2 P-Channel

寬度：

1.2 mm

品牌：

安森美半導體

正向跨導 - 最小值：

1 S, 1 S

秋季時間：

19 ns, 19 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

12 ns, 12 ns

出廠包裝數量：

4000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

35 ns, 35 ns

典型的開啟延遲時間：

10 ns, 10 ns

單位重量：

0.000106 oz

Tags

NTZD3152PT1, NTZD3152PT, NTZD3152, NTZD3, NTZD, NTZ