BSZ018NE2LSIXT

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TSDSON-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

25 V

Id - 連續漏極電流：

40 A

Rds On - 漏源電阻：

1.5 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.2 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

48 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

69 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

商品名：

優化MOS

打包：

捲軸

高度：

1.1 mm

長度：

3.3 mm

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

3.3 mm

品牌：

英飛凌科技

正向跨導 - 最小值：

50 S

秋季時間：

3.6 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

4.8 ns

出廠包裝數量：

5000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

25 ns

典型的開啟延遲時間：

5.2 ns

第 # 部分別名：

BSZ018NE2LSIATMA1 SP000906032

Tags

BSZ018NE2LSI, BSZ018NE, BSZ018, BSZ01, BSZ0, BSZ