IPG20N04S4-09

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TDSON-8

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

40 V

Id - 連續漏極電流：

20 A

Rds On - 漏源電阻：

7.9 mOhms, 7.9 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

28 nC, 28 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

54 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

資質：

AEC-Q101

商品名：

優化MOS

打包：

捲軸

高度：

1.27 mm

長度：

5.9 mm

系列：

OptiMOS-T2

晶體管類型：

2 N-Channel

寬度：

5.15 mm

品牌：

英飛凌科技

秋季時間：

10 ns, 10 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

3 ns, 3 ns

出廠包裝數量：

5000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

15 ns, 15 ns

典型的開啟延遲時間：

12 ns, 12 ns

第 # 部分別名：

IPG20N04S409ATMA1 IPG2N4S49XT SP000705570

Tags

IPG20N04S4-0, IPG20N04, IPG20N0, IPG20, IPG2, IPG