RQ3E120BNTB

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

HSMT-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

12 A

Rds On - 漏源電阻：

6.6 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2.5 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

29 nC

Pd - 功耗：

2 W

配置：

單身的

打包：

捲軸

晶體管類型：

1 N-channel

品牌：

羅姆半導體

秋季時間：

12 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

30 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

46 ns

典型的開啟延遲時間：

9 ns

第 # 部分別名：

RQ3E120BN

單位重量：

0.196723 oz

Tags

RQ3E12, RQ3E1, RQ3E, RQ3