PTFA260451E V1

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

射頻 MOSFET 晶體管

RoHS：

Y

晶體管極性：

N通道

技術：

矽

Vds - 漏源擊穿電壓：

65 V

Rds On - 漏源電阻：

160 mOhms

最低工作溫度：

- 40 C

最高工作溫度：

+ 200 C

安裝方式：

貼片/貼片

打包：

托盤

配置：

單身的

類型：

射頻功率MOSFET

品牌：

英飛凌科技

頻道模式：

增強

Pd - 功耗：

199 W

產品類別：

射頻 MOSFET 晶體管

出廠包裝數量：

1

子類別：

MOSFET

Vgs - 柵源電壓：

- 0.5 V to 12 V

第 # 部分別名：

FA260451EV1XP

Tags

PTFA2604, PTFA260, PTFA26, PTFA2, PTFA, PTF