PSMN8R5-60YS,115

產品屬性

屬性值

製造商：

Nexperia

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

LFPAK56-5

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

76 A

Rds On - 漏源電阻：

12.8 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

4.6 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

39 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

106 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

1.1 mm

長度：

5 mm

晶體管類型：

1 N-Channel

類型：

N-Channel LFPAK 60 V 8 mOhms Standard Level MOSFET

寬度：

4.1 mm

品牌：

Nexperia

秋季時間：

9.2 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

13.7 ns

出廠包裝數量：

1500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

32.4 ns

典型的開啟延遲時間：

18.4 ns

Tags

PSMN8R5-6, PSMN8R5, PSMN8, PSMN, PSM