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CGH40006P

CGH40006P
Mfr. #:
CGH40006P
製造商:
N/A
描述:
RF JFET Transistors GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
生命週期:
製造商新產品
數據表:
CGH40006P 數據表
交貨:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支付:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
更多信息:
CGH40006P 更多信息
產品屬性
屬性值
製造商：
克里公司
產品分類：
射頻 JFET 晶體管
RoHS：
Y
晶體管類型：
HEMT
技術：
氮化鎵
獲得：
13 dB
晶體管極性：
N通道
Vds - 漏源擊穿電壓：
120 V
Vgs - 柵源擊穿電壓：
- 10 V to 2 V
Id - 連續漏極電流：
0.75 A
輸出功率：
9 W
最大漏柵電壓：
-
最低工作溫度：
- 40 C
最高工作溫度：
+ 150 C
Pd - 功耗：
-
安裝方式：
貼片/貼片
包裝/案例：
440109
打包：
托盤
應用：
-
配置：
單身的
高度：
2.79 mm
長度：
4.19 mm
工作頻率：
2 GHz to 6 GHz
工作溫度範圍：
-
產品：
氮化鎵 HEMT
寬度：
5.21 mm
品牌：
Wolfspeed / 克里
正向跨導 - 最小值：
-
柵源截止電壓：
-
班級：
-
開發套件：
CGH40006P-TB
秋季時間：
-
NF - 噪聲係數：
-
P1dB - 壓縮點：
-
產品類別：
射頻 JFET 晶體管
Rds On - 漏源電阻：
-
上升時間：
-
出廠包裝數量：
250
子類別：
晶體管
典型關斷延遲時間：
-
Vgs th - 柵源閾值電壓：
- 3 V
Tags
CGH4000, CGH400, CGH40, CGH4, CGH
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Step1: Vacuum Packaging with PL
Step1:
Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***o-Tech
- 6W, RF Power GaN HEMT Pill Package
***i-Key
RF MOSFET HEMT 28V 440109
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
GaN HEMTs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.
型號 製造商 描述 庫存 價格
CGH40006P
DISTI # CGH40006P-ND		WolfspeedRF MOSFET HEMT 28V 440109
RoHS: Compliant
Min Qty: 1
Container: Tube		427In Stock
  • 1:$56.6400
CGH40006P-TB
DISTI # CGH40006P-TB-ND		WolfspeedBOARD DEMO AMP CIRCUIT CGH40006P
RoHS: Not compliant
Min Qty: 1
Container: Bulk		5In Stock
  • 1:$550.0000
CGH40006P
DISTI # 941-CGH40006P		Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
RoHS: Compliant		309
  • 1:$56.6400
CGH40006P-TB
DISTI # 941-CGH40006P-TB		Cree, Inc.RF Development Tools Test Board without GaN HEMT
RoHS: Not compliant		2
  • 1:$550.0000
圖片 型號 描述
CMPA0060002F

Mfr.#: CMPA0060002F

OMO.#: OMO-CMPA0060002F

 RF Amplifier GaN MMIC Power Amp 0.02-6.0GHz, 2 Watt
MAX232EESE+

Mfr.#: MAX232EESE+

OMO.#: OMO-MAX232EESE-

 RS-232 Interface IC 15kV ESD-Protected 5V RS232 Transceiver
BSS138

Mfr.#: BSS138

OMO.#: OMO-BSS138

 MOSFET SOT-23 N-CH LOGIC
CG2H40010F

Mfr.#: CG2H40010F

OMO.#: OMO-CG2H40010F

 RF JFET Transistors GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
CGH40006S

Mfr.#: CGH40006S

OMO.#: OMO-CGH40006S

 RF JFET Transistors GaN HEMT DC-6.0GHz, 6 Watt
CGH40010F

Mfr.#: CGH40010F

OMO.#: OMO-CGH40010F

 RF JFET Transistors GaN HEMT DC-6.0GHz, 10 Watt
CGH40025F

Mfr.#: CGH40025F

OMO.#: OMO-CGH40025F

 RF JFET Transistors GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
CGH40045F

Mfr.#: CGH40045F

OMO.#: OMO-CGH40045F

 RF JFET Transistors GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
NPTB00004A

Mfr.#: NPTB00004A

OMO.#: OMO-NPTB00004A

 RF JFET Transistors DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT
CG2H40010F

Mfr.#: CG2H40010F

OMO.#: OMO-CG2H40010F-WOLFSPEED

 RF MOSFET HEMT 28V 440166
可用性
庫存:
519
訂購:
2502
輸入數量:
CGH40006P的當前價格僅供參考，如果您想獲得最優惠的價格，請提交查詢或直接發送電子郵件至我們的銷售團隊[email protected]
參考價格（美元）
數量
單價
小計金額
1
US$45.13
US$45.13
由於2021年半導體供不應求，低於2021年之前的正常價格，請發詢價確認。
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