IXTT1N300P3HV

產品屬性

屬性值

製造商：

IXYS

產品分類：

MOSFET

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-268HV-2

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

3 kV

Id - 連續漏極電流：

1 A

Rds On - 漏源電阻：

50 Ohms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

30.6 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

195 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

IXYS

秋季時間：

60 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

35 ns

出廠包裝數量：

30

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

78 ns

典型的開啟延遲時間：

22 ns

Tags

IXTT1N, IXTT1, IXTT, IXT