MRF6S18100NBR1

產品屬性

屬性值

製造商：

恩智浦

產品分類：

射頻 MOSFET 晶體管

RoHS：

E

晶體管極性：

N通道

技術：

矽

Vds - 漏源擊穿電壓：

68 V

獲得：

14.5 dB

輸出功率：

100 W

最低工作溫度：

- 65 C

最高工作溫度：

+ 150 C

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-272-4

打包：

捲軸

配置：

單身的

高度：

2.64 mm

長度：

23.67 mm

工作頻率：

1.8 GHz to 2 GHz

類型：

射頻功率MOSFET

寬度：

9.07 mm

品牌：

恩智浦/飛思卡爾

頻道模式：

增強

濕氣敏感：

是的

Pd - 功耗：

343 W

產品類別：

射頻 MOSFET 晶體管

出廠包裝數量：

500

子類別：

MOSFET

Vgs - 柵源電壓：

- 0.5 V, 12 V

Vgs th - 柵源閾值電壓：

3 V

單位重量：

0.067412 oz

Tags

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