FQI9N08LTU

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-262-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

80 V

Id - 連續漏極電流：

9.3 A

Rds On - 漏源電阻：

210 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

20 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

3.75 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

管子

高度：

7.88 mm

長度：

10.29 mm

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

4.83 mm

品牌：

安森美半導體/飛兆半導體

秋季時間：

30 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

180 ns

出廠包裝數量：

50

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

13 ns

典型的開啟延遲時間：

6.5 ns

單位重量：

0.084199 oz

Tags

FQI9N0, FQI9N, FQI9, FQI