PSMN8R5-100ESQ

產品屬性

屬性值

製造商：

Nexperia

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-262-3

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

100 V

Id - 連續漏極電流：

100 A

Rds On - 漏源電阻：

22.6 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

4 V

Qg - 門電荷：

111 nC

Pd - 功耗：

263 W

打包：

管子

品牌：

Nexperia

秋季時間：

43 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

35 ns

出廠包裝數量：

50

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

87 ns

典型的開啟延遲時間：

20 ns

單位重量：

0.084199 oz

Tags

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