FQA8N90C-F109

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-3PN-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

900 V

Id - 連續漏極電流：

8 A

Rds On - 漏源電阻：

1.9 Ohms

Vgs - 柵源電壓：

30 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

240 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

商品名：

場效應管

打包：

管子

高度：

20.1 mm

長度：

16.2 mm

系列：

FQA8N90C_F109

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

5 mm

品牌：

安森美半導體/飛兆半導體

秋季時間：

70 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

110 ns

出廠包裝數量：

450

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

70 ns

典型的開啟延遲時間：

40 ns

第 # 部分別名：

FQA8N90C_F109

單位重量：

0.225789 oz

Tags

FQA8N90C, FQA8N9, FQA8N, FQA8, FQA