RDN080N25FU6

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

MOSFET

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-220-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

250 V

Id - 連續漏極電流：

8 A

Rds On - 漏源電阻：

380 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

4 V

Vgs - 柵源電壓：

4 V

Qg - 門電荷：

15 nC

Pd - 功耗：

35 W

配置：

單身的

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

羅姆半導體

產品類別：

MOSFET

子類別：

MOSFET

第 # 部分別名：

RDN080N25

單位重量：

0.211644 oz

Tags

RDN080N, RDN08, RDN0, RDN