IPW65R190CFDFKSA2

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-247-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

650 V

Id - 連續漏極電流：

17.5 A

Rds On - 漏源電阻：

190 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

3.5 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

68 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

151 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

商品名：

酷摩

打包：

管子

系列：

CFD2

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

英飛凌科技

秋季時間：

6.4 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

8.4 ns

出廠包裝數量：

240

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

53.2 ns

典型的開啟延遲時間：

12 ns

第 # 部分別名：

IPW65R190CFD

Tags

IPW65R190CF, IPW65R190C, IPW65R19, IPW65R1, IPW65R, IPW65, IPW6, IPW