CDM22010-650

產品屬性

屬性值

製造商：

中央半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-220-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

650 V

Id - 連續漏極電流：

5 A

Rds On - 漏源電阻：

1 Ohms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2 V

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

20 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

156 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

大部分

系列：

CDM22010

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

中央半導體

秋季時間：

36 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

33 ns

出廠包裝數量：

400

子類別：

MOSFET

第 # 部分別名：

CDM22010-650 PBFREE

Tags

CDM2201, CDM220, CDM22, CDM2, CDM