TSM60NB099PW C1G

產品屬性

屬性值

製造商：

台積電

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

600 V

Id - 連續漏極電流：

38 A

Rds On - 漏源電阻：

86 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2 V

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

62 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

329 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

管子

晶體管類型：

N 溝道功率 MOSFET

品牌：

台積電

秋季時間：

25 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

24 ns

出廠包裝數量：

500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

87 ns

典型的開啟延遲時間：

18 ns

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