GS66516T-E02-MR

產品屬性

屬性值

製造商：

氮化鎵系統

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

氮化鎵

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

GaNPX-4

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

650 V

Id - 連續漏極電流：

60 A

Rds On - 漏源電阻：

25 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.3 V

Vgs - 柵源電壓：

7 V

Qg - 門電荷：

12 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

0.54 mm

長度：

9 mm

產品：

MOSFET

系列：

GS66516x

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

7.6 mm

品牌：

氮化鎵系統

濕氣敏感：

是的

產品類別：

MOSFET

出廠包裝數量：

250

子類別：

MOSFET

第 # 部分別名：

GS66516T-E02-MR

Tags

GS665, GS66, GS6