NTMYS3D3N06CLTWG

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

LFPAK-4

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

133 A

Rds On - 漏源電阻：

3 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.2 V

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

18.4 nC, 40.7 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

100 W

配置：

單身的

頻道模式：

消耗

打包：

捲軸

晶體管類型：

1-N-Channel

品牌：

安森美半導體

正向跨導 - 最小值：

130 S

秋季時間：

96 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

58 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

66 ns

典型的開啟延遲時間：

15 ns

Tags

NTMY, NTM