IPI60R199CP

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-262-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

650 V

Id - 連續漏極電流：

16 A

Rds On - 漏源電阻：

199 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

20 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

139 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

商品名：

酷摩

打包：

管子

高度：

9.45 mm

長度：

10.2 mm

系列：

CoolMOS CE

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

4.5 mm

品牌：

英飛凌科技

秋季時間：

5 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

5 ns

出廠包裝數量：

500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

50 ns

典型的開啟延遲時間：

10 ns

第 # 部分別名：

IPI60R199CPXKSA1 IPI6R199CPXK SP000103248

單位重量：

0.084199 oz

Tags

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