STI10NM60N

產品屬性

屬性值

製造商：

意法半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-262-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

650 V

Id - 連續漏極電流：

10 A

Rds On - 漏源電阻：

550 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

3 V

Vgs - 柵源電壓：

25 V

Qg - 門電荷：

19 nC

最低工作溫度：

- 50 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

70 W

配置：

單身的

打包：

管子

系列：

STI10NM60N

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

意法半導體

秋季時間：

15 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

12 ns

出廠包裝數量：

1000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

32 ns

典型的開啟延遲時間：

10 ns

單位重量：

0.050717 oz

Tags

STI10, STI1, STI