RQ3C150BCTB

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

HSMT-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

30 A

Rds On - 漏源電阻：

4.8 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.2 V

Vgs - 柵源電壓：

8 V

Qg - 門電荷：

60 nC

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

20 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

晶體管類型：

1 P-Channel

品牌：

羅姆半導體

正向跨導 - 最小值：

25 S

秋季時間：

280 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

80 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

300 ns

典型的開啟延遲時間：

26 ns

第 # 部分別名：

RQ3C150BC

Tags

RQ3