CXDM1002N TR

產品屬性

屬性值

製造商：

中央半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-89

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

100 V

Id - 連續漏極電流：

2 A

Rds On - 漏源電阻：

140 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.5 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

6 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

1.2 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

1.7 mm

長度：

4.7 mm

系列：

連續波分複用

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

2.7 mm

品牌：

中央半導體

產品類別：

MOSFET

出廠包裝數量：

1000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

50 ns

典型的開啟延遲時間：

32 ns

第 # 部分別名：

CXDM1002N PBFREE TR

單位重量：

0.004603 oz

Tags

CXDM, CXD