GA20SICP12-263

產品屬性

屬性值

製造商：

GeneSiC半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

碳化矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-263-7

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

1.2 kV

Id - 連續漏極電流：

45 A

Rds On - 漏源電阻：

50 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

30 V

Qg - 門電荷：

100 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

282 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

管子

高度：

4.597 mm

長度：

10.668 mm

系列：

GA20SICP12

類型：

晶體管/肖特基二極管 Co-Pack

寬度：

9.169 mm

品牌：

GeneSiC半導體

產品類別：

MOSFET

出廠包裝數量：

50

子類別：

MOSFET

單位重量：

0.056438 oz

Tags

GA20S, GA20, GA2