HS8K1TB

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

HSML3030L-10

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

11 A

Rds On - 漏源電阻：

11.8 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.2 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

6 nC, 7.4 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

2 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

晶體管類型：

2 N-Channel

品牌：

羅姆半導體

秋季時間：

2.9 ns, 3.2 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

4.5 ns, 5.2 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

19.2 ns, 19.7 ns

典型的開啟延遲時間：

8.2 ns, 8.4 ns

第 # 部分別名：

HS8K1

Tags

HS8K1, HS8K, HS8