FGH30T65UPDT-F155

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

IGBT晶體管

RoHS：

Y

技術：

矽

包裝/案例：

TO-247-3

安裝方式：

通孔

配置：

單身的

集電極-發射極電壓 VCEO 最大值：

650 V

集電極-發射極飽和電壓：

2.1 V

最大柵極發射極電壓：

20 V

25 C 時的連續集電極電流：

60 A

Pd - 功耗：

250 W

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

系列：

FGH30T65UPDT

打包：

管子

連續集電極電流 Ic 最大值：

30 A

品牌：

安森美半導體/飛兆半導體

柵極-發射極漏電流：

400 nA

產品類別：

IGBT晶體管

出廠包裝數量：

450

子類別：

IGBT

第 # 部分別名：

FGH30T65UPDT_F155

單位重量：

0.225401 oz

Tags

FGH30T, FGH3, FGH