TK31N60W5,S1VF

產品屬性

屬性值

製造商：

東芝

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-247-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

600 V

Id - 連續漏極電流：

30.8 A

Rds On - 漏源電阻：

82 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

4.5 V

Vgs - 柵源電壓：

30 V

Qg - 門電荷：

105 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

230 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

商品名：

DTMOSIV

高度：

20.95 mm

長度：

15.94 mm

系列：

TK31N60W

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

5.02 mm

品牌：

東芝

產品類別：

MOSFET

出廠包裝數量：

30

子類別：

MOSFET

單位重量：

1.340411 oz

Tags

TK31N60W5,S, TK31N60W5, TK31N60W, TK31N, TK31, TK3