TPH1R712MD,L1Q

產品屬性

屬性值

製造商：

東芝

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOP Advance-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

60 A

Rds On - 漏源電阻：

1.7 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

500 mV

Vgs - 柵源電壓：

4.5 V

Qg - 門電荷：

182 nC

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

78 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

0.95 mm

長度：

5 mm

系列：

TPH1R712MD

晶體管類型：

1 P-Channel

寬度：

5 mm

品牌：

東芝

秋季時間：

512 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

14 ns

出廠包裝數量：

5000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

1620 ns

典型的開啟延遲時間：

27 ns

單位重量：

0.002434 oz

Tags

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