IPI110N20N3 G

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-262-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

200 V

Id - 連續漏極電流：

88 A

Rds On - 漏源電阻：

10.7 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

65 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

300 W

配置：

單身的

商品名：

優化MOS

打包：

管子

高度：

9.45 mm

長度：

10.2 mm

系列：

OptiMOS 3

晶體管類型：

1 N-Channel

寬度：

4.5 mm

品牌：

英飛凌科技

秋季時間：

11 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

26 nS

出廠包裝數量：

500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

41 nS

第 # 部分別名：

IPI110N20N3GAKSA1 IPI11N2N3GXK SP000714304

單位重量：

0.084199 oz

Tags

IPI110, IPI11, IPI1, IPI