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FDMS4D4N08C

FDMS4D4N08C
Mfr. #:
FDMS4D4N08C
製造商:
ON Semiconductor / Fairchild
描述:
MOSFET PTNG 80/20V Nch Power Trench MOSFET
生命週期:
製造商新產品
數據表:
FDMS4D4N08C 數據表
交貨:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支付:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
產品屬性
屬性值
製造商：
安森美半導體
產品分類：
MOSFET
RoHS：
Y
技術：
矽
安裝方式：
貼片/貼片
包裝/案例：
Power-56-8
通道數：
1 Channel
晶體管極性：
N通道
Vds - 漏源擊穿電壓：
80 V
Id - 連續漏極電流：
123 A
Rds On - 漏源電阻：
3.7 mOhms
Vgs th - 柵源閾值電壓：
2 V
Vgs - 柵源電壓：
20 V
Qg - 門電荷：
56 nC
最低工作溫度：
- 55 C
最高工作溫度：
+ 150 C
Pd - 功耗：
125 W
配置：
單身的
頻道模式：
增強
打包：
捲軸
系列：
FDMS4D4N08C
晶體管類型：
1 N-Channel
品牌：
安森美半導體/飛兆半導體
正向跨導 - 最小值：
98 S
秋季時間：
5 ns
產品類別：
MOSFET
上升時間：
7 ns
出廠包裝數量：
3000
子類別：
MOSFET
典型關斷延遲時間：
25 ns
典型的開啟延遲時間：
17 ns
單位重量：
0.002402 oz
Tags
FDMS4, FDMS, FDM
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***et Europe
PowerTrench MOSFET N-Channel Shielded Gate 80 V 123 A 4.3m Ohm 8-Pin Power 56 T/R
***emi
N-Channel Shielded Gate PowerTrench® MOSFET 80V, 123A, 4.3mΩ
***rchild Semiconductor
This N-Channel MV MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s advanced PowerTrench® process that incorporates Shielded Gate technology. This process has been optimized to minimise on-state resistance and yet maintain superior switching performance with best in class soft body diode.
型號 製造商 描述 庫存 價格
FDMS4D4N08C
DISTI # V36:1790_18470533		ON SemiconductorN-Channel Shielded gate power Trench MOSFET0
    FDMS4D4N08C
    DISTI # FDMS4D4N08C-ND    		ON SemiconductorMOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN
    RoHS: Not compliant
    Min Qty: 3000
    Container: Tape & Reel (TR)    		Temporarily Out of Stock
    • 3000:$1.4244
    FDMS4D4N08C
    DISTI # FDMS4D4N08C    		ON SemiconductorPowerTrench MOSFET N-Channel Shielded Gate 80 V 123 A 4.3m Ohm 8-Pin Power 56 T/R - Tape and Reel (Alt: FDMS4D4N08C)
    RoHS: Compliant
    Min Qty: 3000
    Container: Reel    		Americas - 0
    • 6000:$1.5900
    • 12000:$1.5900
    • 18000:$1.5900
    • 30000:$1.5900
    • 3000:$1.6900
    FDMS4D4N08C
    DISTI # 512-FDMS4D4N08C    		ON SemiconductorMOSFET PTNG 80/20V Nch Power Trench MOSFET
    RoHS: Compliant    		0
    • 1:$2.6900
    • 10:$2.2800
    • 100:$1.9800
    • 250:$1.8800
    • 500:$1.6800
    • 1000:$1.4200
    • 3000:$1.3500
    • 6000:$1.3000
    圖片 型號 描述
    FDMS4D0N12C

    Mfr.#: FDMS4D0N12C

    OMO.#: OMO-FDMS4D0N12C

    		 MOSFET PTNG 120V N-FET 118A
    FDMS4435BZ

    Mfr.#: FDMS4435BZ

    OMO.#: OMO-FDMS4435BZ

    		 MOSFET P-Channel PowerTrench MOSFET
    FDMS4D4N08C

    Mfr.#: FDMS4D4N08C

    OMO.#: OMO-FDMS4D4N08C

    		 MOSFET PTNG 80/20V Nch Power Trench MOSFET
    FDMS4435BZ

    Mfr.#: FDMS4435BZ

    OMO.#: OMO-FDMS4435BZ-ON-SEMICONDUCTOR

    		 MOSFET P-CH 30V 9A POWER56
    FDMS4D0N12C

    Mfr.#: FDMS4D0N12C

    OMO.#: OMO-FDMS4D0N12C-ON-SEMICONDUCTOR

    		 PTNG 120V N-FET PQFN56
    FDMS4D4N08C

    Mfr.#: FDMS4D4N08C

    OMO.#: OMO-FDMS4D4N08C-ON-SEMICONDUCTOR

    		 MOSFET N-CH 80V 123A 8PQFN
    可用性
    庫存:
    Available
    訂購:
    3500
    輸入數量:
    FDMS4D4N08C的當前價格僅供參考，如果您想獲得最優惠的價格，請提交查詢或直接發送電子郵件至我們的銷售團隊[email protected]
    參考價格（美元）
    數量
    單價
    小計金額
    1
    US$2.24
    US$2.24
    10
    US$1.90
    US$19.00
    100
    US$1.52
    US$152.00
    500
    US$1.33
    US$665.00
    1000
    US$1.10
    US$1 100.00
    由於2021年半導體供不應求，低於2021年之前的正常價格，請發詢價確認。
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