HP8M51TB1

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

HSOP-8

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N溝道，P溝道

Vds - 漏源擊穿電壓：

100 V

Id - 連續漏極電流：

4.5 A

Rds On - 漏源電阻：

170 mOhms, 290 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

15 nC, 26.2 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

7 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

晶體管類型：

1 N-Channel, 1 P-Channel

品牌：

羅姆半導體

秋季時間：

14 ns, 19 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

13 ns

出廠包裝數量：

2500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

50 ns, 75 ns

典型的開啟延遲時間：

13 ns, 15 ns

Tags

HP8M, HP8