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FF23MR12W1M1PB11BPSA1

FF23MR12W1M1PB11BPSA1
Mfr. #:
FF23MR12W1M1PB11BPSA1
製造商:
Infineon Technologies
描述:
Discrete Semiconductor Modules
生命週期:
製造商新產品
數據表:
FF23MR12W1M1PB11BPSA1 數據表
交貨:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支付:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
更多信息:
FF23MR12W1M1PB11BPSA1 更多信息
產品屬性
屬性值
製造商：
英飛凌
產品分類：
分立半導體模塊
RoHS：
Y
產品：
功率 MOSFET 模塊
類型：
CoolSiC MOSFET
Vf - 正向電壓：
4.6 V at 50 A
Vgs - 柵源電壓：
- 10 V, 20 V
安裝方式：
螺絲安裝
包裝/案例：
AG-EASY1BM-2
最低工作溫度：
- 40 C
最高工作溫度：
+ 150 C
打包：
托盤
配置：
雙重的
品牌：
英飛凌科技
晶體管極性：
N通道
秋季時間：
12 ns
Id - 連續漏極電流：
50 A
Pd - 功耗：
20 mW
產品類別：
分立半導體模塊
Rds On - 漏源電阻：
22.5 mOhms
上升時間：
10 ns
出廠包裝數量：
30
子類別：
分立半導體模塊
商品名：
EasyDUAL CoolSiC MOSFET
典型關斷延遲時間：
43.5 ns
典型的開啟延遲時間：
12 ns
Vds - 漏源擊穿電壓：
1200 V
Vgs th - 柵源閾值電壓：
3.45 V
第 # 部分別名：
FF23MR12W1M1P_B11 SP002739444
Tags
FF2
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
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Packaging Boxes
1200V CoolSiC™ Modules
Infineon Technologies 1200V CoolSiC™ Modules are Silicon Carbide (SiC) MOSFET modules that offer good levels of efficiency and system flexibility. These modules come with Near Threshold Circuits (NTC) and PressFIT contact technology. The CoolSiC modules feature high current density, best in class switching and conduction losses, and low inductive design. These modules provide high-frequency operation, increased power density, and optimized development cycle time and cost.
圖片 型號 描述
FF23MR12W1M1B11BOMA1

Mfr.#: FF23MR12W1M1B11BOMA1

OMO.#: OMO-FF23MR12W1M1B11BOMA1

 Discrete Semiconductor Modules
FF23MR12W1M1PB11BPSA1

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OMO.#: OMO-FF23MR12W1M1PB11BPSA1

 Discrete Semiconductor Modules
FF23MR12W1M1B11BOMA1

Mfr.#: FF23MR12W1M1B11BOMA1

OMO.#: OMO-FF23MR12W1M1B11BOMA1-INFINEON-TECHNOLOGIES

 MOSFET 2 N-CH 1200V 50A MODULE
可用性
庫存:
Available
訂購:
2500
輸入數量:
FF23MR12W1M1PB11BPSA1的當前價格僅供參考，如果您想獲得最優惠的價格，請提交查詢或直接發送電子郵件至我們的銷售團隊[email protected]
參考價格（美元）
數量
單價
小計金額
1
US$98.89
US$98.89
5
US$97.07
US$485.35
10
US$92.71
US$927.10
25
US$89.61
US$2 240.25
100
US$83.44
US$8 344.00
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