HP8S36TB

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

HSOP-8

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

27 A, 80 A

Rds On - 漏源電阻：

6.7 mOhms, 2 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.3 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V, 12 V

Qg - 門電荷：

4.8 nC, 47 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

3 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

晶體管類型：

2 N-Channel

品牌：

羅姆半導體

正向跨導 - 最小值：

10 S, 30 S

秋季時間：

3.4 ns, 66 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

4.5 ns, 27 ns

出廠包裝數量：

2500

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

25.5 ns, 186 ns

典型的開啟延遲時間：

9.6 ns, 34 ns

第 # 部分別名：

HP8S36

Tags

HP8S36, HP8S3, HP8S, HP8