SSM6N56FE,LM

產品屬性

屬性值

製造商：

東芝

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

ES6-6

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

800 mA

Rds On - 漏源電阻：

235 mOhms, 235 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

400 mV

Vgs - 柵源電壓：

4.5 V

Qg - 門電荷：

1 nC, 1 nC

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

250 mW

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

0.55 mm

長度：

1.6 mm

系列：

SSM6N56

晶體管類型：

2 N-Channel

寬度：

1.2 mm

品牌：

東芝

產品類別：

MOSFET

出廠包裝數量：

4000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

8.5 ns, 8.5 ns

典型的開啟延遲時間：

5.5 ns, 5.5 ns

單位重量：

0.000289 oz

Tags

SSM6N56, SSM6N5, SSM6N, SSM6, SSM