RHU002N06T106

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-323-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

60 V

Id - 連續漏極電流：

200 mA

Rds On - 漏源電阻：

2.8 Ohms

Vgs - 柵源電壓：

20 V

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

200 mW

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

0.8 mm

長度：

2 mm

產品：

MOSFET 小信號

系列：

RHU002N06

晶體管類型：

1 N-Channel

類型：

MOSFET

寬度：

1.25 mm

品牌：

羅姆半導體

秋季時間：

8 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

8 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

4 ns

典型的開啟延遲時間：

15 ns

第 # 部分別名：

RHU002N06

單位重量：

0.000176 oz

Tags

RHU002N06T106, RHU002N06T, RHU002N, RHU002, RHU0, RHU