QS6J1TR

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

SOT-457T-6

通道數：

2 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

20 V

Id - 連續漏極電流：

1.5 A

Rds On - 漏源電阻：

310 mOhms

Vgs - 柵源電壓：

12 V

Pd - 功耗：

1.25 W

配置：

雙重的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

0.85 mm

長度：

2.9 mm

產品：

MOSFET 小信號

系列：

QS6J1

晶體管類型：

2 P-Channel

類型：

MOSFET

寬度：

1.6 mm

品牌：

羅姆半導體

秋季時間：

12 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

12 ns

出廠包裝數量：

3000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

45 ns

典型的開啟延遲時間：

10 ns

第 # 部分別名：

QS6J1

Tags

QS6J1, QS6J, QS6