SCT30N120H

產品屬性

屬性值

製造商：

意法半導體

產品分類：

MOSFET

技術：

碳化矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

HiP-247-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

1200 V

Id - 連續漏極電流：

45 A

Rds On - 漏源電阻：

100 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

1.8 V

Vgs - 柵源電壓：

- 10 V to 25 V

Qg - 門電荷：

105 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 200 C

Pd - 功耗：

270 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

系列：

SCT30N120H

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

意法半導體

秋季時間：

28 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

20 ns

出廠包裝數量：

1000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

45 ns

典型的開啟延遲時間：

19 ns

Tags

SCT30N, SCT30, SCT3, SCT