R6030ENZ1C9

產品屬性

屬性值

製造商：

羅姆半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

通孔

包裝/案例：

TO-247-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

600 V

Id - 連續漏極電流：

30 A

Rds On - 漏源電阻：

115 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

2 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

85 nC

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

120 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

羅姆半導體

正向跨導 - 最小值：

8 S

秋季時間：

60 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

55 ns

出廠包裝數量：

450

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

190 ns

典型的開啟延遲時間：

40 ns

第 # 部分別名：

R6030ENZ1

單位重量：

0.000353 oz

Tags

R6030ENZ, R6030E, R6030, R603, R60