STB45N60DM2AG

產品屬性

屬性值

製造商：

意法半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

D2PAK-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

600 V

Id - 連續漏極電流：

34 A

Rds On - 漏源電阻：

93 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

3 V

Vgs - 柵源電壓：

10 V

Qg - 門電荷：

56 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

250 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

資質：

AEC-Q101

商品名：

網狀網

打包：

捲軸

高度：

4.6 mm

長度：

10.4 mm

產品：

功率MOSFET

系列：

STB45N60DM2AG

晶體管類型：

1 N-Channel Power MOSFET

類型：

高壓

寬度：

9.35 mm

品牌：

意法半導體

秋季時間：

6 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

27 ns

出廠包裝數量：

1000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

85 ns

典型的開啟延遲時間：

29 ns

單位重量：

0.139332 oz

Tags

STB45N6, STB45N, STB45, STB4, STB