IRF640NSTRRPBF

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

D2PAK-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

200 V

Id - 連續漏極電流：

18 A

Rds On - 漏源電阻：

150 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

4 V

Vgs - 柵源電壓：

20 V

Qg - 門電荷：

44.7 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 175 C

Pd - 功耗：

150 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

打包：

捲軸

高度：

2.3 mm

長度：

6.5 mm

晶體管類型：

1 N-Channel

類型：

HEXFET 功率 MOSFET

寬度：

6.22 mm

品牌：

英飛凌/紅外

正向跨導 - 最小值：

6.8 S

秋季時間：

5.5 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

19 ns

出廠包裝數量：

800

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

23 ns

典型的開啟延遲時間：

10 ns

第 # 部分別名：

SP001561802

單位重量：

0.139332 oz

Tags

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