BSZ086P03NS3E G

產品屬性

屬性值

製造商：

英飛凌

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TSDSON-8

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

P-通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

30 V

Id - 連續漏極電流：

40 A

Rds On - 漏源電阻：

6.5 mOhms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

3.1 V

Vgs - 柵源電壓：

25 V

Qg - 門電荷：

57.5 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 150 C

Pd - 功耗：

69 W

配置：

單身的

頻道模式：

增強

商品名：

優化MOS

打包：

捲軸

高度：

1.1 mm

長度：

3.3 mm

系列：

OptiMOS P3

晶體管類型：

1 P-Channel

寬度：

3.3 mm

品牌：

英飛凌科技

正向跨導 - 最小值：

30 S

秋季時間：

8 ns

產品類別：

MOSFET

上升時間：

46 ns

出廠包裝數量：

5000

子類別：

MOSFET

典型關斷延遲時間：

35 ns

典型的開啟延遲時間：

16 ns

第 # 部分別名：

BSZ086P03NS3EGATMA1 BSZ86P3NS3EGXT SP000473016

單位重量：

0.003527 oz

Tags

BSZ086P03NS3E, BSZ086P03NS, BSZ086, BSZ08, BSZ0, BSZ