NDD03N60ZT4G

產品屬性

屬性值

製造商：

安森美半導體

產品分類：

MOSFET

RoHS：

Y

技術：

矽

安裝方式：

貼片/貼片

包裝/案例：

TO-252-3

通道數：

1 Channel

晶體管極性：

N通道

Vds - 漏源擊穿電壓：

600 V

Id - 連續漏極電流：

2.6 A

Rds On - 漏源電阻：

3.3 Ohms

Vgs th - 柵源閾值電壓：

4.5 V

Vgs - 柵源電壓：

30 V

Qg - 門電荷：

12 nC

最低工作溫度：

- 55 C

最高工作溫度：

+ 125 C

Pd - 功耗：

61 W

配置：

單身的

打包：

捲軸

晶體管類型：

1 N-Channel

品牌：

安森美半導體

正向跨導 - 最小值：

2 S

產品類別：

MOSFET

出廠包裝數量：

2500

子類別：

MOSFET

單位重量：

0.139332 oz

Tags

NDD03N60Z, NDD03N6, NDD03, NDD0, NDD